世界初、GaN基板を採用したGaNトランジスタの周波数分散抑制を実証

三菱電機株式会社は、窒化ガリウム（GaN）基板上にGaNのエピタキシャル層（※1）（エピ層）を成膜した高周波トランジスタ（GaNトランジスタ）において、世界で初めて（※2）結晶欠陥に起因する周波数分散（※3）の影響を解明し、周波数分散を大幅に抑制できることを実証しました。

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本記事は企業・団体の発表をもとにPR HEADLINE編集部が整理したものです。数値や計画は発表時点の内容であり、変更される場合があります。