オンセミは、トレンチ構造を採用した第4世代シリコンカーバイドプラットフォームEliteSiC M4を発表しました。EliteSiC M4は前世代比で最大30%の電力密度向上と35%の損失低減を達成しています。EliteSiC M4は、導通性能およびスイッチング性能を進化させることで、AIデータセンター、電気自動車、エネルギーインフラ向けに、より高効率で高電力密度のシステムを可能にします。
元のプレスリリース
原文を見る ↗オンセミ「オンセミのEliteSiC M4、増大するエネルギー需要に対応し 電力密度のさらなる向上を実現」
本記事は企業・団体の発表をもとにPR HEADLINE編集部が整理したものです。数値や計画は発表時点の内容であり、変更される場合があります。